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        電壓對TC4鈦合金表面微弧氧化膜層紅外發射率的影響

        時間:2018-12-12 19:12:56 來源: 作者: 點擊:


        在硅酸鹽、磷酸鹽及高錳酸鉀的混合電解液中研究了不同電壓對TC4鈦合金微弧氧化膜層性能的影響,通過掃描電鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)和X射線光電子能譜(XPS)分析了膜層的微觀形貌、相組成及化學成分,用傅里葉變換紅外光譜儀測試了樣品的紅外發射率。結果表明,隨著電壓的升高,膜層的厚度、粗糙度及紅外發射率持續增加,膜層中Ti O2與Ti的特征峰逐漸減弱,非晶相成為主要的組成部分。結合XRD與XPS分析結果可推斷膜層中主要元素Si、P、Mn均以非晶態存在。當電壓為540 V時膜層發射率有較大幅度的增加并達到最大,在8-20μm的波段范圍內平均發射率可達0.84。


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